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NTD4809N, NVD4809N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
2000
1500
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
C iss
12
11
10
9
8
7
Q T
6
1000
C rss
5
4
Q 1
Q 2
0 V < V GS < 11.5 V
T J = 25 ° C
500
0
10
5
V GS
0
C rss
V DS
5
10
15
20
C oss
25
3
2 I D = 30 A
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213141516171819202122232425 26
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t d(off)
20
15
10
t r
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
120
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 15 A
100
10
10 m s
100 m s
100
80
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
60
40
20
0.01
0.01
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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